综述论文:近红外钙钛矿发光二极管的研究希望‘可以赌足球的app’

本文摘要:金属卤化物钙钛矿在照明领域的应用方面体现出优异的性能,包罗高光致发光量子产率(PLQY)、身分可调性和窄发射线宽。最近,纳米结构的钙钛矿NIR-LED显示出100小时的器件稳定性。近红外发射钙钛矿纳米晶提供了准确的光学性能控制,但由于大要积配体的存在,其光电性能较差。 准2D钙钛矿体系由于能够平衡高导电性和稳定性,同时能够准确调治纳米结构的颜色,以及生产单晶LED的可能性,因此受到了广泛的关注。本文综述了近红外发射钙钛矿质料的最新希望。

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金属卤化物钙钛矿在照明领域的应用方面体现出优异的性能,包罗高光致发光量子产率(PLQY)、身分可调性和窄发射线宽。最近,纳米结构的钙钛矿NIR-LED显示出100小时的器件稳定性。近红外发射钙钛矿纳米晶提供了准确的光学性能控制,但由于大要积配体的存在,其光电性能较差。

准2D钙钛矿体系由于能够平衡高导电性和稳定性,同时能够准确调治纳米结构的颜色,以及生产单晶LED的可能性,因此受到了广泛的关注。本文综述了近红外发射钙钛矿质料的最新希望。比力了差别的结构框架,以及它们在颜色稳定性、EQE和设备稳定性方面临LED性能的影响。

详细讨论了钙钛矿型近红外发光二极管(NIR-LED)质料每一类结构所面临的实际挑战以及克服这些障碍的可能计谋。论文以题目为“Recent Advancements in Near-Infrared Perovskite Light-Emitting Diodes”揭晓在ACS Applied Electronic Materials 期刊上。

论文链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsaelm.0c00825论文整体框架如下:首先形貌了LED的简要历史以及金属卤化物钙钛矿LED;然后先容了钙钛矿近红外发光二极管,包罗近红外钙钛矿和钙钛矿近红外发光二极管的制备)。接着先容了近红外钙钛矿质料的结构与性能,包罗块材质料、钙钛矿量子点/纳米晶发光二极管。之后先容了器件工程以进一步提高LED性能。

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最后提出了展望。图1。(a)差别浓度FAPbI3钙钛矿薄膜的扫描电镜图像。(b)各样品的XRD图谱。

(c)差别样品的光致发光光谱显示,由于粒度减小,浓度增加,蓝移。(d)作为样品中浓度函数的装配式装置的方程。图2。

(a)ITO/ZnO/PEIE/FAPbI3/poly-TPD/MoO3/Al器件在差别电压下的器件原理图和相对EL谱。(b)电流密度-电压-亮度曲线。

(c)EQE与电流密度曲线。(d)归一化EQE与时间的关系讲明了小器件的器件稳定性。

(e)大面积装置(30×30mm2)的照片,显示整个基板的匀称光强度。(f)大面积器件的EQE与电流密度关系图,插图显示了器件的再现性。图3。(a)(C8H9NH3)2(CH3NH3)n−1PbnI3n+1准二维钙钛矿晶体结构随面数变化的示意图。

(b)薄膜中差别单分子膜数目制备发光二极管的能量图。(c)这些器件中能量漏斗机制的表现,其中较大的带隙发射载流子通过能量漏斗集中到最小的带隙质料上。(d)差别单分子膜数(n值)器件的EL谱。

(e)显示EQE与单分子膜数之间关系的图表。(g) 相纯准2D钙钛矿薄膜中差别平面数的EL峰位。(h)在(BA)2(MA)n−1PbnI3n+1 (n = 4 and 5)的10个器件中打开电压(Von)。

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图4。(a)调整钙钛矿中BAB和FA比例以调治层数的晶体结构示意图。(b)钙钛矿型LED器件原理图。(c)(BAB)FAn−1PbnI3n+1钙钛矿的EL光谱,在BAB和DA之间改变比例,以调治量子限制的光学性质。

(d)EQE与时间曲线显示器件寿命为100h。(e) EQE与电流密度曲线显示,纵然在高电流密度下,DJ相钙钛矿型LED的效率下降也很低。(文:爱新觉罗星)本文来自微信民众号“质料科学与工程”。接待转载请联系,未经许可谢绝转载至其他网站。


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